预氧化聚碳硅烷先驱体转化法制备SiC陶瓷介电和吸波性能研究
- Release time:2024-08-09
- Hits:
-
-
-
Affiliation of Author(s):
理学院
-
-
Journal:
功能材料
-
-
-
Key Words:
预氧化;聚碳硅烷;SiC陶瓷;复介电常数;吸波性能;
-
Abstract:
通过聚碳硅烷(PCS)预氧化后在800 1 200℃热解制备了SiC陶瓷,采用傅里叶转化红外光谱(FTIR)与拉曼光谱分别对不同温度交联后PCS及裂解产物进行了表征。并用矩形波导法测试了SiC陶瓷在8.2 1 2.4GHz(X波段)频段的复介电常数,利用传输线理论计算了试样的反射率。结果表明,氧化交联过程中PCS通过Si—H键和Si—CH 3 键与氧反应形成Si—OH键。SiC陶瓷中自由碳有序度随着热解温度的升高而增加,导致复介电常数实部及虚部增加。170℃交联,1 200℃热解,试样厚度为3.5 mm的SiC陶瓷,吸收峰值为-18dB,X全波段反射率低于-10dB,呈现出较好的吸波性能。
-
-
-
First Author:
dingdonghai,shiyimin
-
Indexed by:
Journal paper
-
Correspondence Author:
罗发,周万城,朱冬梅
-
-
Discipline:
Engineering
-
-
-
Volume:
中文核心期刊:2153-2157,5
-
-
-
-
ISSN No.:
1001-9731
-
Translation or Not:
no
-
-
Date of Publication:
2017-02-28
-
-