Affiliation of Author(s):
理学院
Key Words:
中文关键字：激光器；微片激光器；Yb:YAG晶体；热效应；超高斯光束；半解析分析，英文关键字：laser; microchip laser; Yb:YAG crystal; thermal ef
Abstract:
为了研究抽运光在Yb:YAG晶体内产生的非均匀温升以及引起的热效应问题，以半解析热分析理论为基础，结合超高斯光束端面抽运、背向冷却Yb:YAG微片工作特点分析，采用热传导方程一种新的求解方法，得出了Yb:YAG微片内部温度场、热形变场、附加光程差的半解析计算表达式。并定量分析了超高斯光束不同阶次、不同光斑尺寸抽运时对于Yb:YAG微片温度场、热形变场的影响。研究结果表明，若使用50W、光斑半径300μm的5阶超高斯光束端面抽运掺镱离子质量分数为0.08的Yb:YAG微片，抽运面上可获得52.18C最高温升量，产生0.1195μm最大热形变，引起0.2152μm的附加光程差。该研究结果对于微片激光器热不敏谐振腔最优化设计具有理论指导作用。
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