占据结构洞对流动研发者技术创新的影响研究——以个体知识基础为调节变量
- Release time:2025-12-09
- Hits:
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DOI number:
10.13956/j.ss.1001-8409.2024.07.16
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Affiliation of Author(s):
西安建筑科技大学管理学院;
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Journal:
软科学
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Key Words:
流动研发者;结构洞;知识宽度;知识深度;企业发展阶段
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Abstract:
分析占据的结构洞是如何影响研发者流动后的技术创新,探讨个体知识基础对流动研发者结构洞和技术创新之间关系的调节作用,并基于新入职企业所处发展阶段的不同对研究结果进行异质性检验。结果表明:(1)当研发者流动后占据的结构洞越多时,流动研发者的技术创新越强;(2)流动研发者的知识宽度、知识深度会显著提升占据结构洞对流动研发者技术创新的促进作用;(3)无论企业处于何种发展阶段,占据结构洞都会对研发者流动后的技术创新产生显著的促进作用。只有当流动研发者在企业成长期入职时,个体知识基础才能发挥显著的正向调节作用。
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Issue:
07
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Page Number:
107-116+126
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ISSN No.:
1001-8409
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Translation or Not:
no
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Date of Publication:
2023-11-01
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