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HIP法制备CuCr触头的真空电击穿特性

Release time:2024-08-09
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Affiliation of Author(s):
机电工程学院
Journal:
金属热处理
Key Words:
CuCr合金;热等静压;烧结温度;粒子半径;击穿场强
Abstract:
:采用热等静压(HIP)固相烧结法制备了近乎完全致密、低氧、氮含量的CuCr合金材料,研究了在不同烧结温度下制备CuCr合金的Gr相颗粒度、电击穿场强及击穿区域,给出了CuGr合金Cr相粒子半径与击穿场强的关系式。结果表明:随着HIP烧结温度的上升,CuCr触头材料的Cr相颗粒度也将逐渐增大,导致真空电击穿场强减小,与此同时真空电击穿烧蚀面积增大﹐烧蚀坑深度逐步加深。
First Author:
wang fazhan
Indexed by:
Journal paper
Correspondence Author:
王永滨,吕勤良
Volume:
Vol. 45, No. 2,
Translation or Not:
no
Date of Publication:
2020-02-25