HIP法制备CuCr触头的真空电击穿特性
Release time:2024-08-09
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- Affiliation of Author(s):
- 机电工程学院
- Journal:
- 金属热处理
- Key Words:
- CuCr合金;热等静压;烧结温度;粒子半径;击穿场强
- Abstract:
- :采用热等静压(HIP)固相烧结法制备了近乎完全致密、低氧、氮含量的CuCr合金材料,研究了在不同烧结温度下制备CuCr合金的Gr相颗粒度、电击穿场强及击穿区域,给出了CuGr合金Cr相粒子半径与击穿场强的关系式。结果表明:随着HIP烧结温度的上升,CuCr触头材料的Cr相颗粒度也将逐渐增大,导致真空电击穿场强减小,与此同时真空电击穿烧蚀面积增大﹐烧蚀坑深度逐步加深。
- First Author:
- wang fazhan
- Indexed by:
- Journal paper
- Correspondence Author:
- 王永滨,吕勤良
- Volume:
- Vol. 45, No. 2,
- Translation or Not:
- no
- Date of Publication:
- 2020-02-25
- Pre One:接触器触头弹跳行为规律分析及算法优化
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