HIP法制备CuCr触头的真空电击穿特性
Release time:2024-08-09 
                        Hits:
                    - Affiliation of Author(s):
 - 机电工程学院
 
- Journal:
 - 金属热处理
 
- Key Words:
 - CuCr合金;热等静压;烧结温度;粒子半径;击穿场强
 
- Abstract:
 - :采用热等静压(HIP)固相烧结法制备了近乎完全致密、低氧、氮含量的CuCr合金材料,研究了在不同烧结温度下制备CuCr合金的Gr相颗粒度、电击穿场强及击穿区域,给出了CuGr合金Cr相粒子半径与击穿场强的关系式。结果表明:随着HIP烧结温度的上升,CuCr触头材料的Cr相颗粒度也将逐渐增大,导致真空电击穿场强减小,与此同时真空电击穿烧蚀面积增大﹐烧蚀坑深度逐步加深。
 
- First Author:
 - wang fazhan
 
- Indexed by:
 - Journal paper
 
- Correspondence Author:
 - 王永滨,吕勤良
 
- Volume:
 - Vol. 45, No. 2,
 
- Translation or Not:
 - no
 
- Date of Publication:
 - 2020-02-25
 
- Pre One:接触器触头弹跳行为规律分析及算法优化
 - Next One:大型复杂框架结构焊接变形与应力控制仿真
 




