HIP法制备CuCr触头的真空电击穿特性
发布时间：2024-08-09
点击次数：
- 所属单位：
- 机电工程学院
- 发表刊物：
- 金属热处理
- 关键字：
- CuCr合金;热等静压;烧结温度;粒子半径;击穿场强
- 摘要：
- :采用热等静压(HIP)固相烧结法制备了近乎完全致密、低氧、氮含量的CuCr合金材料,研究了在不同烧结温度下制备CuCr合金的Gr相颗粒度、电击穿场强及击穿区域,给出了CuGr合金Cr相粒子半径与击穿场强的关系式。结果表明:随着HIP烧结温度的上升,CuCr触头材料的Cr相颗粒度也将逐渐增大，导致真空电击穿场强减小,与此同时真空电击穿烧蚀面积增大﹐烧蚀坑深度逐步加深。
- 第一作者：
- 王发展
- 论文类型：
- 期刊论文
- 通讯作者：
- 王永滨,吕勤良
- 卷号：
- Vol. 45, No. 2,
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2020-02-25